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AT28BV64-30PC

更新时间： 2025-09-22 19:19:31
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 光电二极管存储
页数 文件大小 规格书
12页 132K
描述
存储容量(Mb):64Kb（8K x 8）;内存数据长度(bit):8K ;字编码数(k):8K ;元器件封装:28-PDIP;

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AT28BV64-30PC 数据手册

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Features  
• 2.7V to 3.6V Supply  
– Full Read and Write Operation  
• Low Power Dissipation  
– 8 mA Active Current  
– 50 µA CMOS Standby Current  
• Read Access Time - 300 ns  
• Byte Write - 3 ms  
• Direct Microprocessor Control  
– DATA Polling  
– READY/BUSY Open Drain Output  
• High Reliability CMOS Technology  
– Endurance: 100,000 Cycles  
– Data Retention: 10 Years  
• JEDEC Approved Byte-Wide Pinout  
• Commercial and Industrial Temperature Ranges  
64K (8K x 8)  
Battery-Voltage™  
Parallel  
EEPROMs  
Description  
The AT28BV64 is a low-voltage, low-power Electrically Erasable and Programmable  
Read Only Memory specifically designed for battery powered applications. Its 64K of  
memory is organized 8,192 words by 8 bits. Manufactured with Atmel’s advanced  
nonvolatile CMOS technology, the device offers access times to 200 ns with power  
dissipation less than 30 mW. When the device is deselected the standby current is  
AT28BV64  
less than 50 µA.  
(continued)  
Pin Configurations  
PDIP, SOIC  
Top View  
Pin Name  
A0 - A12  
CE  
Function  
Addresses  
RDY/BUSY  
A12  
A7  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
VCC  
WE  
NC  
2
Chip Enable  
3
A6  
4
A8  
OE  
Output Enable  
Write Enable  
Data Inputs/Outputs  
Ready/Busy Output  
No Connect  
A5  
5
A9  
A4  
6
A11  
OE  
WE  
A3  
7
A2  
8
A10  
CE  
I/O0 - I/O7  
RDY/BUSY  
NC  
A1  
9
A0  
10  
11  
12  
13  
14  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
GND  
DC  
Don’t Connect  
PLCC  
Top View  
TSOP  
Top View  
OE  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
A10  
CE  
A11  
2
A9  
3
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
GND  
I/O2  
I/O1  
I/O0  
A0  
A8  
4
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
5
6
7
8
9
29 A8  
28 A9  
27 A11  
26 NC  
25 OE  
24 A10  
23 CE  
22 I/O7  
21 I/O6  
NC  
5
WE  
6
VCC  
7
RDY/BUSY  
8
A12  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
9
A1 10  
A0 11  
10  
11  
12  
13  
14  
NC 12  
I/O0 13  
A1  
Rev. 0493A–10/98  
A2  
1
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AT28BV64-30PI ATMEL

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 		64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
AT28BV64-30PI MICROCHIP

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 		存储容量(Mb):64Kb（8K x 8）;内存数据长度(bit):8K ;字编码数(k)
AT28BV64-30PJ ATMEL

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 		EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, MS-011AB, DIP-28
AT28BV64-30SC ATMEL

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 		64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
AT28BV64-30SC MICROCHIP

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 		存储容量(Mb):64Kb（8K x 8）;内存数据长度(bit):8K ;字编码数(k)
AT28BV64-30SI ATMEL

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 		64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
AT28BV64-30SI MICROCHIP

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 		存储容量(Mb):64Kb（8K x 8）;内存数据长度(bit):8K ;字编码数(k)
AT28BV64-30SJ ATMEL

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 		EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28
AT28BV64-30TC ATMEL

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 		64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
AT28BV64-30TC MICROCHIP

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 		存储容量(Mb):64Kb（8K x 8）;内存数据长度(bit):8K ;字编码数(k)

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