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AS7C33256PFD36A-166TQI

更新时间: 2024-10-28 20:20:15
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美国芯成 - ISSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 527K
描述
Standard SRAM, 256KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

AS7C33256PFD36A-166TQI 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:QFP
包装说明:LQFP,针数:100
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.37
最长访问时间:3.5 ns其他特性:FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码:R-PQFP-G100JESD-609代码:e0
长度:20 mm内存密度:9437184 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:36
功能数量:1端子数量:100
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:256KX36
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LQFP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.6 mm
最大供电电压 (Vsup):3.465 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:14 mm
Base Number Matches:1

AS7C33256PFD36A-166TQI 数据手册

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AS7C33256PFD32A  
AS7C33256PFD36A  
®
Pin arrangement TQFP  
DQPb/NC  
DQb7  
DQb6  
VDDQ  
VSSQ  
DQb5  
DQb4  
DQb3  
DQb2  
VSSQ  
VDDQ  
DQb1  
DQb0  
VSS  
DQPc/NC  
DQc0  
DQc1  
VDDQ  
VSSQ  
1
80  
79  
78  
77  
76  
75  
74  
73  
72  
71  
70  
69  
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65  
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59  
58  
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56  
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54  
53  
52  
51  
2
3
4
5
DQc2  
DQc3  
DQc4  
DQc5  
VSSQ  
VDDQ  
DQc6 12  
DQc7 13  
6
7
8
9
10  
11  
14  
15  
NC  
NC  
VDD  
TQFP 14 × 20 mm  
VDD  
ZZ  
NC 16  
VSS 17  
DQa7  
DQa6  
VDDQ  
VSSQ  
DQa5  
DQa4  
DQa3  
DQa2  
VSSQ  
VDDQ  
DQa1  
DQa0  
DQPa/NC  
DQd0 18  
DQd1 19  
VDDQ  
VSSQ  
20  
21  
DQd2 22  
DQd3 23  
DQd4 24  
DQd5 25  
VSSQ  
VDDQ  
26  
27  
DQd6 28  
DQd7 29  
DQPd/NC 30  
Note: Pins 1, 30, 51, 80 are NC for ×32  
12/1/04, v.1.2  
Alliance Semiconductor  
P. 3 of 20  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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Standard SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100