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AS7C33256NTD32A-133BC

更新时间： 2024-11-30 20:56:55
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 324K
描述
ZBT SRAM, 256KX32, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, BGA-119

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AS7C33256NTD32A-133BC 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：BGA,针数：119
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.64
最长访问时间：10 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B119
JESD-609代码：e0长度：22 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：ZBT SRAM
内存宽度：32功能数量：1
端子数量：119字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX32封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：BGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.4 mm最大供电电压 (Vsup)：3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：BALL端子节距：1.27 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：14 mmBase Number Matches：1

AS7C33256NTD32A-133BC 数据手册

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March 2002  
AS7C33256NTD32A  
AS7C33256NTD36A  
&
1
TM  
ꢏꢐꢏꢑꢇꢒꢓꢔꢕꢖꢏꢒꢗꢏꢔꢇꢈꢘꢀꢙꢇꢚꢂꢍꢛꢇꢜꢝ  
Features  
• Organization: 262,144 words × 32 or 36 bits  
• NTD architecture for efficient bus operation  
• Available in 100-pin TQFP and 119-ball BGA package  
• Byte write enables  
™1  
• Fast clock speeds to 166 MHz in LVTTL/LVCMOS  
• Fast clock to data access: 3.0/3.5/3.8/4/5 ns  
• Fast OE access time: 3.5/3.8/4/5 ns  
• Fully synchronous operation  
• “Flow-through” or “pipelined” mode  
• Asynchronous output enable control  
• Clock enable for operation hold  
• Multiple chip enables for easy expansion  
• 3.3 core power supply  
• 2.5V or 3.3V I/O operation with separate V  
• 30 mW typical standby power  
• Self-timed write cycles  
DDQ  
• Interleaved or linear burst modes  
• Snooze mode for standby operation  
™
1. NTD is a trademark of Alliance Semiconductor Corporation.  
Logic block diagram  
18  
18  
Q
D Address  
register  
Burst logic  
A[17:0]  
CLK  
D
Q
CE0  
CE1  
CE2  
Write delay  
addr. registers  
CLK  
18  
R/W  
BWa  
BWb  
BWc  
Control  
logic  
CLK  
BWd  
256K x 32/36  
SRAM  
ADV / LD  
FT  
CLK  
LBO  
Array  
ZZ  
36/32  
36/32  
Data  
Register  
CLK  
DATA [a:d]  
Q
D
Input  
36/32  
36/32  
36/32  
CLK  
CEN  
CLK  
Output  
Register  
OE  
36/32  
DATA [a:d]  
OE  
Selection guide  
-166  
6
-150  
6.7  
-133  
7.5  
133  
4
-100  
10  
Units  
Minimum cycle time  
ns  
MHz  
ns  
Maximum pipelined clock frequency  
Maximum pipelined clock access time  
Maximum operating current  
166  
3.0/3.51  
150  
3.8  
100  
5
475  
425  
110  
30  
400  
100  
30  
300  
90  
mA  
mA  
mA  
Maximum standby current  
130  
Maximum CMOS standby current (DC)  
30  
30  
1 3.0 ns available on 166 MHz parts with “H” suffix. For further information see page 7 and last page with ordering codes.  
ꢉꢗꢘꢙꢙꢘꢚꢛꢜꢉꢖꢔꢙꢔꢝ  
ꢀꢁꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢇꢈꢆꢉꢂꢅꢊꢄꢋꢌꢅꢍꢊꢎ  
!ꢔꢉꢙꢉꢁ"ꢉꢙꢛ  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢇꢈꢉ'ꢉꢊꢋꢋꢅꢌꢍꢎꢏꢉꢐꢏꢑꢅꢎꢁꢍꢒꢓꢎꢈꢁꢄꢔꢉꢊꢋꢋꢉꢄꢅꢆꢇꢈꢕꢉꢄꢏꢕꢏꢄꢖꢏꢒꢔ  
1234567...12

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与AS7C33256NTD32A-133BC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AS7C33256NTD32A-133BI ISSI

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 		ZBT SRAM, 256KX32, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, BGA-119
AS7C33256NTD32A-133TQC ALSC

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 		3.3V 256K x 2/36 Pipelined burst Synchronous SRAM with NTD
AS7C33256NTD32A-133TQC ISSI

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 		ZBT SRAM, 256KX32, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
AS7C33256NTD32A-133TQCN ALSC

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 		3.3V 256K x 2/36 Pipelined burst Synchronous SRAM with NTD
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 		ZBT SRAM, 256KX32, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100
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 		ZBT SRAM, 256KX32, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
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 		ZBT SRAM, 256KX32, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100
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 		3.3V 256K x 2/36 Pipelined burst Synchronous SRAM with NTD
AS7C33256NTD32A-150BC ISSI

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