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AS6UA5128-55BC

更新时间： 2024-11-06 19:36:19

品牌	Logo	应用领域
ALSC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	118K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PBGA36, CSP, FBGA-48/36

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AS6UA5128-55BC 数据手册

May 2001

AS6UA5128

2.3V to 3.6V 512K×8 Intelliwatt low-power CMOS SRAM

Features

• AS6UA5128

- 41 µW max at 2.7V

- 28 µW max at 2.3V

• 1.5V data retention

• Equal access and cycle times

• Easy memory expansion with CS, OE inputs

• Smallest footprint packages

- 36(48)-ball FBGA

• ESD protection ≥ 2000 volts

• Latch-up current ≥ 200 mA

• Intelliwatt™ active power circuitry

• Industrial and commercial temperature ranges available

• Organization: 524,288 words × 8 bits

• 2.7V to 3.6V at 55 ns

• 2.3V to 2.7V at 70 ns

• Low power consumption: ACTIVE

- 144 mW at 3.6V and 55 ns

- 68 mW at 2.7V and 70 ns

• Low power consumption: STANDBY

- 72 µW max at 3.6V

Pin arrangement

Logic block diagram

36(48)-CSP/BGA Package (shading indicates no ball)

GND

Input buffer

A₀

A₁

A₂

A₃

A₄

A₅

A₆

A₇

A₈

I/O5

I/O6

V_SS

V_CC

I/O7

I/O8

A₉

I/O₁

I/O₂

V_CC

V_SS

I/O3

I/O4

A₁₄

I/O8

I/O1

512K

Array

A₁₈

A₁₇

A₁₆

A₁₂

(4,194,304)

A₁₅

A₁₃

A₁₀

A₁₁

Column decoder

Control

circuit

Selection guide

_CCRange

Power Dissipation

Typ²

(V)

3.0

Max

Speed

(ns)

Operating (I_CC)

Standby (I_SB1

)

Min

(V)

2.7

2.3

Product

AS6UA5128

(V)

3.6

2.7

Max (mA)

Max (µA)

2.5

5/25/01; v.1.1

Alliance Semiconductor

P. 1 of 9

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