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AS29F010-90TC

更新时间： 2024-01-26 15:16:58
品牌 Logo 应用领域
ALSC 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 155K
描述
Flash, 128KX8, 90ns, PDSO32

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AS29F010-90TC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSSOP, TSSOP32,.8,20Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92Is Samacsys：N
最长访问时间：90 ns命令用户界面：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e0内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
部门数/规模：4端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP32,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL电源：5 V
认证状态：Not Qualified部门规模：32K
最大待机电流：0.001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.05 mA标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL切换位：YES
类型：NOR TYPEBase Number Matches：1

AS29F010-90TC 数据手册

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AS29F010  
AS29F011  
WRITE COMMAND BUS CYCLE  
(V = 5.0±0.5V, GND = 0V, T = 0°C to +70°C)  
CC a  
Read  
Write[1]  
Write[2]  
Write[3]  
Write[4]  
Addresses  
AIN[1] = 5555h AIN[2] = 2AAAh AIN[3] = 5555h  
AIN[4] = AIN  
XXXX  
AIN  
CE  
OE  
WE  
I/O 7:0  
DIN[1] = AAh  
DIN[2] = 55h  
DIN[3] = Com.  
DIN[4] = DIN  
DOUT  
AS29F010-08  
.
NOTES  
• A  
, and D  
= Address and Data for write cycles 1–4.  
IN[4:1]  
IN[4:1]  
• D = Data to be programmed at address A  
.
IN  
IN  
• Com. = Command byte input on the I/O pins during Write  
.
[3]  
• D  
= Status byte, Manufacturer ID code, or array data for verify.  
OUT  
AC TEST CONDITIONS  
+5V  
1N3064  
or equivalent  
2.7KΩ  
Device under Test  
6.2KΩ  
100 pF*  
1N3064  
or equivalent  
GND  
GND  
*including scope  
and jig capacitance  
AS29F010-09  
GND  
9
1...6789101112

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