是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP32,.6 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.91 |
最长访问时间: | 120 ns | 命令用户界面: | YES |
数据轮询: | YES | 耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-CDIP-T32 | 长度: | 41.7322 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 8 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 128KX8 |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP32,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 |
座面最大高度: | 5.1308 mm | 部门规模: | 16K |
最大待机电流: | 0.0016 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
切换位: | YES | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
AS29F010CW-120/XT | AUSTIN | 128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
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AS29F010CW-15/883C | AUSTIN | 128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
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AS29F010CW-15/IT | AUSTIN | 128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
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AS29F010CW-15/Q | AUSTIN | 128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
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AS29F010CW-15/XT | AUSTIN | 128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
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AS29F010CW-150/883C | AUSTIN | 128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
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