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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP32,.6 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.91 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 50 ns |
| 命令用户界面： | YES | 数据轮询： | YES |
| 耐久性： | 1000000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-CDIP-T32 |
| 长度： | 41.7322 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 8 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128KX8 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP32,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 | 座面最大高度： | 5.1308 mm |
| 部门规模： | 16K | 最大待机电流： | 0.0016 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AS29F010CW-50/XT | AUSTIN | 128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
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| AS29F010CW-6/883C | AUSTIN | 128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
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| AS29F010CW-6/IT | AUSTIN | 128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
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| AS29F010CW-6/Q | AUSTIN | 128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
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| AS29F010CW-6/XT | AUSTIN | 128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
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| AS29F010CW-60/883C | AUSTIN | 128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
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