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AS29F010CW-50/Q PDF预览

AS29F010CW-50/Q

更新时间： 2024-02-23 23:33:38
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AUSTIN /
页数 文件大小 规格书
26页 521K
描述
128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY

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AS29F010CW-50/Q 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：DIP, DIP32,.6针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.91
Is Samacsys：N最长访问时间：50 ns
命令用户界面：YES数据轮询：YES
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-CDIP-T32
长度：41.7322 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1部门数/规模：8
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX8封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：DIP封装等效代码：DIP32,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：MIL-STD-883座面最大高度：5.1308 mm
部门规模：16K最大待机电流：0.0016 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：15.24 mm
Base Number Matches：1

AS29F010CW-50/Q 数据手册

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FLASH  
AS29F010  
Austin Semiconductor, Inc.  
GENERAL DESCRIPTION  
The AS29F0±0 iꢃ r ±Mbia, 5.0 Vpla-pnlꢄ FLASH mempꢂꢄ  
Device eꢂrꢃsꢂe pccsꢂꢃ bꢄ execsaing ahe eꢂrꢃe cpmmrnd  
pꢂgrnized rꢃ ±3±,072 bꢄaeꢃ. The AS29F0±0 iꢃ pffeꢂed in r 32-ꢁin ꢃeqsence. Thiꢃ invpkeꢃ ahe Embedded Eꢂrꢃe rlgpꢂiahm -- rn  
CDIP ꢁrckrge. The bꢄae-oide drar rꢁꢁerꢂꢃ pn DQ0-DQ7. The inaeꢂnrl rlgpꢂiahm ahra rsapmraicrllꢄ ꢁꢂeꢁꢂpgꢂrmꢃ ahe rꢂꢂrꢄ (if ia  
device iꢃ deꢃigned ap be ꢁꢂpgꢂrmmed in-ꢃꢄꢃaem oiah ahe iꢃ npa rlꢂerdꢄ ꢁꢂpgꢂrmmed) befpꢂe execsaing ahe eꢂrꢃe  
pꢁeꢂraipn. Dsꢂing eꢂrꢃe, ahe device rsapmraicrllꢄ aimeꢃ ahe  
eꢂrꢃe ꢁslꢃe oidahꢃ rnd veꢂifieꢃ ꢁꢂpꢁeꢂ cell mrꢂgin.  
The hpꢃa ꢃꢄꢃaem crn deaeca oheaheꢂ r ꢁꢂpgꢂrm pꢂ eꢂrꢃe  
pꢁeꢂraipn iꢃ cpmꢁleae bꢄ ꢂerding ahe DQ7 (Drar\Pplling) rnd  
DQ6 (apggle) ꢃarasꢃ biaꢃ. Afaeꢂ r ꢁꢂpgꢂrm pꢂ eꢂrꢃe cꢄcle hrꢃ  
been cpmꢁleaed, ahe device iꢃ ꢂerdꢄ ap ꢂerd rꢂꢂrꢄ drar pꢂ rcceꢁa  
rnpaheꢂ cpmmrnd.  
The ꢃecapꢂ eꢂrꢃe rꢂchiaecasꢂe rllpoꢃ mempꢂꢄ ꢃecapꢂꢃ ap be  
eꢂrꢃed rnd ꢂeꢁꢂpgꢂrmmed oiahpsa rffecaing ahe drar cpnaenaꢃ  
pf paheꢂ ꢃecapꢂꢃ. The device iꢃ eꢂrꢃed ohen ꢃhiꢁꢁed fꢂpm ahe  
frcapꢂꢄ.  
ꢃarndrꢂd ꢃꢄꢃaem 5.0 Vpla VCC ꢃsꢁꢁlꢄ. A ±2.0 vpla VPP iꢃ npa  
ꢂeqsiꢂed fpꢂ ꢁꢂpgꢂrm pꢂ eꢂrꢃe pꢁeꢂraipnꢃ. The device crn rlꢃp  
be ꢁꢂpgꢂrmmed pꢂ eꢂrꢃed in ꢃarndrꢂd EPROM ꢁꢂpgꢂrmmeꢂꢃ.  
Thiꢃ device iꢃ mrnsfrcasꢂed sꢃing 0.32 µm ꢁꢂpceꢃꢃ  
aechnplpgꢄ. Ia iꢃ rvrilrble oiah rcceꢃꢃ aimeꢃ pf 50, 60, 70, 90,  
±20, rnd ±50nꢃ, rllpoing high-ꢃꢁeed micꢂpꢁꢂpceꢃꢃpꢂꢃ ap  
pꢁeꢂrae oiahpsa oria ꢃaraeꢃ. Tp eliminrae bsꢃ cpnaenaipn ahe  
device hrꢃ ꢃeꢁrꢂrae chiꢁ enrble (CE\), oꢂiae enrble (WE\), rnd  
psaꢁsa enrble (OE\) cpnaꢂplꢃ.  
The device ꢂeqsiꢂeꢃ pnlꢄ r ꢃingle 5.0 vpla ꢁpoeꢂ ꢃsꢁꢁlꢄ fpꢂ  
bpah ꢂerd rnd oꢂiae fsncaipnꢃ. Inaeꢂnrllꢄ geneꢂraed rnd  
ꢂegslraed vplargeꢃ rꢂe ꢁꢂpvided fpꢂ ahe ꢁꢂpgꢂrm rnd eꢂrꢃe  
pꢁeꢂraipnꢃ.  
The hrꢂdorꢂe drar ꢁꢂpaecaipn merꢃsꢂeꢃ inclsde r lpo VCC  
deaecapꢂ ahra rsapmraicrllꢄ inhibiaꢃ oꢂiae pꢁeꢂraipnꢃ dsꢂing  
The device iꢃ enaiꢂelꢄ cpmmrnd ꢃea cpmꢁraible oiah ahe ꢁpoeꢂ aꢂrnꢃiaipnꢃ. The hrꢂdorꢂe ꢃecapꢂ ꢁꢂpaecaipn ferasꢂe  
JEDEC ꢃingle-ꢁpoeꢂ-ꢃsꢁꢁlꢄ FLASH ꢃarndrꢂd. Cpmmrndꢃ rꢂe diꢃrbleꢃ bpah ꢁꢂpgꢂrm rnd eꢂrꢃe pꢁeꢂraipnꢃ in rnꢄ  
oꢂiaaen ap ahe cpmmrnd ꢂegiꢃaeꢂ sꢃing ꢃarndrꢂd micꢂpꢁꢂpceꢃꢃpꢂ cpmbinraipn pf ahe ꢃecapꢂꢃ pf mempꢂꢄ, rnd iꢃ imꢁlemenaed  
oꢂiae aimingꢃ. Regiꢃaeꢂ cpnaenaꢃ ꢃeꢂve rꢃ inꢁsa ap rn inaeꢂnrl sꢃing ꢃarndrꢂd EPROM ꢁꢂpgꢂrmmeꢂꢃ.  
ꢃarae mrchine ahra cpnaꢂplꢃ ahe eꢂrꢃe rnd ꢁꢂpgꢂrmming ciꢂcsiaꢂꢄ.  
The ꢃꢄꢃaem crn ꢁlrce ahe device inap ahe ꢃarndbꢄ mpde.  
Wꢂiae cꢄcleꢃ rlꢃp inaeꢂnrllꢄ lrach rddꢂeꢃꢃeꢃ rnd drar needed fpꢂ Ppoeꢂ cpnꢃsmꢁaipn iꢃ gꢂeralꢄ ꢂedsced in ahiꢃ mpde. The  
ahe ꢁꢂpgꢂrmming rnd eꢂrꢃe pꢁeꢂraipnꢃ. Rerding drar psa pf ahe device elecaꢂicrllꢄ eꢂrꢃeꢃ rll biaꢃ oiahin r ꢃecapꢂ ꢃimslarnepsꢃlꢄ  
device iꢃ ꢃimilrꢂ ap ꢂerding fꢂpm paheꢂ FLASH pꢂ EPROM vir Fpoleꢂ-Npꢂdheim asnneling. The bꢄaeꢃ rꢂe ꢁꢂpgꢂrmmed  
deviceꢃ.  
pne bꢄae ra r aime sꢃing ahe EPROM ꢁꢂpgꢂrmming mechrniꢃm  
Device ꢁꢂpgꢂrmming pccsꢂꢃ bꢄ execsaing ahe ꢁꢂpgꢂrm pf hpa elecaꢂpn injecaipn.  
cpmmrnd ꢃeqsence. Thiꢃ invpkeꢃ ahe Embedded Pꢂpgꢂrm  
rlgpꢂiahm -- rn inaeꢂnrl rlgpꢂiahm ahra rsapmraicrllꢄ aimeꢃ ahe  
ꢁꢂpgꢂrm ꢁslꢃe oidahꢃ rnd veꢂifieꢃ ꢁꢂpꢁeꢂ cell mrꢂgin.  
PIN CONFIGURATION  
LOGIC SYMBOL  
PIN  
DESCRIPTION  
A0 - A16 17 Addresses  
DQ0 - DQ7 8 Data Inputs/Outputs  
CE\  
OE\  
WE\  
Chip Enable  
Output Enable  
Write Enable  
V
+5 Volt Single Power Supply  
CC  
V
Device Ground  
No Connect  
SS  
NC  
AS29F010  
Rev. 2.3 12/08  
AustinSemiconductor,Inc.reservestherighttochangeproductsorspecificationswithoutnotice.  
2
1234567...26

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