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AS29F010CW-120/Q PDF预览

AS29F010CW-120/Q

更新时间： 2024-02-12 18:45:09
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AUSTIN /
页数 文件大小 规格书
26页 521K
描述
128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY

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AS29F010CW-120/Q 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：DIP, DIP32,.6针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.91
最长访问时间：120 ns命令用户界面：YES
数据轮询：YES耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-CDIP-T32长度：41.7322 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
部门数/规模：8端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：128KX8
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：DIP
封装等效代码：DIP32,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：MIL-STD-883
座面最大高度：5.1308 mm部门规模：16K
最大待机电流：0.0016 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.05 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

AS29F010CW-120/Q 数据手册

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FLASH  
AS29F010  
Austin Semiconductor, Inc.  
rddꢂeꢃꢃ biaꢃ ahra rꢂe dpn’a crꢂe. When rll neceꢃꢃrꢂꢄ biaꢃ hrve  
been ꢃea rꢃ ꢂeqsiꢂed, ahe ꢁꢂpgꢂrmming eqsiꢁmena mrꢄ ahen  
ꢂerd ahe cpꢂꢂeꢃꢁpnding idenaifieꢂ cpde pn DQ7 - DQ0  
Tp rcceꢃꢃ ahe rsapꢃeleca cpdeꢃ in-ꢃꢄꢃaem, ahe hpꢃa ꢃꢄꢃaem  
crn iꢃꢃse ahe rsapꢃeleca cpmmrnd vir ahe cpmmrnd ꢂegiꢃaeꢂ, rꢃ  
ꢃhpon in ahe Cpmmrnd Definiaipnꢃ arble. Thiꢃ meahpd dpeꢃ  
Standby Mode  
When ahe ꢃꢄꢃaem iꢃ npa ꢂerding pꢂ oꢂiaing ap ahe device, ia  
crn ꢁlrce ahe device in ahe ꢃarndbꢄ mpde. In ahiꢃ mpde, csꢂꢂena  
cpnꢃsmꢁaipn iꢃ gꢂeralꢄ ꢂedsced, rnd ahe psaꢁsaꢃ rꢂe ꢁlrced in  
ahe high imꢁedrnce ꢃarae, indeꢁendena pf ahe OE\ inꢁsa.  
The device enaeꢂꢃ ahe CMOS ꢃarndbꢄ mpde ohen ahe CE\  
npa ꢂeqsiꢂe VID. See “Cpmmrnd Definiaipnꢃ” fpꢂ dearilꢃ pn  
sꢃing ahe rsapꢃeleca mpde.  
ꢁin iꢃ held ra VCC ± 0.5V. (Npae ahra ahiꢃ iꢃ r mpꢂe ꢂeꢃaꢂicaed  
vplarge ꢂrnge ahrn VIH.) The device enaeꢂꢃ ahe TTL ꢃarndbꢄ  
mpꢂe ohen CE\ iꢃ held ra VIH. The device ꢂeqsiꢂeꢃ ahe ꢃarndrꢂd  
rcceꢃꢃ aime (aCE) befpꢂe ia iꢃ ꢂerdꢄ ap ꢂerd drar.  
If ahe device iꢃ deꢃelecaed dsꢂing eꢂrꢃsꢂe pꢂ ꢁꢂpgꢂrmming,  
ahe device dꢂroꢃ rcaive csꢂꢂena snail ahe pꢁeꢂraipn iꢃ cpmꢁleaed.  
ICC3 in ahe DC Chrꢂrcaeꢂiꢃaicꢃ arble ꢂeꢁꢂeꢃenaꢃ ahe ꢃarndbꢄ  
csꢂꢂena ꢃꢁecificraipn.  
Sector Protection/Unprotection  
The hrꢂdorꢂe ꢃecapꢂ ꢁꢂpaecaipn ferasꢂe diꢃrbleꢃ bpah  
ꢁꢂpgꢂrm rnd eꢂrꢃe pꢁeꢂraipnꢃ in rnꢄ ꢃecapꢂ. The hrꢂdorꢂe  
ꢃecapꢂ snꢁꢂpaecaipn ferasꢂe ꢂe-enrbleꢃ bpah ꢁꢂpgꢂrm rnd eꢂrꢃe  
pꢁeꢂraipnꢃ in ꢁꢂevipsꢃlꢄ ꢁꢂpaecaed ꢃecapꢂꢃ.  
Secapꢂ ꢁꢂpaecaipn/snꢁꢂpaecaipn msꢃa be imꢁlemenaed  
sꢃing ꢁꢂpgꢂrmming eqsiꢁmena. The ꢁꢂpcedsꢂe ꢂeqsiꢂeꢃ r high  
vplarge (VID) pn rddꢂeꢃꢃ ꢁin A9 rnd ahe cpnaꢂpl ꢁinꢃ. The  
device iꢃ ꢃhiꢁꢁed oiah rll ꢃecapꢂꢃ snꢁꢂpaecaed. Ia iꢃ ꢁpꢃꢃible ap  
deaeꢂmine oheaheꢂ r ꢃecapꢂ iꢃ ꢁꢂpaecaed pꢂ snꢁꢂpaecaed. See  
“Asapꢃeleca Mpde” fpꢂ dearilꢃ.  
Output Disable Mode  
When ahe OE\ inꢁsa iꢃ ra VIH, psaꢁsa fꢂpm ahe device iꢃ  
diꢃrbled. The psaꢁsa ꢁinꢃ rꢂe ꢁlrced in ahe high imꢁedrnce  
ꢃarae.  
Autoselect Mode  
Hardware Data Protection  
The rsapꢃeleca mpde ꢁꢂpvideꢃ mrnsfrcasꢂeꢂ rnd device  
idenaificraipn, rnd ꢃecapꢂ ꢁꢂpaecaipn veꢂificraipn, ahꢂpsgh  
idenaifieꢂ cpdeꢃ psaꢁsa pn DQ7 - DQ0. Thiꢃ mpde iꢃ ꢁꢂimrꢂilꢄ  
inaended fpꢂ ꢁꢂpgꢂrmming eqsiꢁmena ap rsapmraicrllꢄ mrach r  
device ap be ꢁꢂpgꢂrmmed oiah iaꢃ cpꢂꢂeꢃꢁpnding ꢁꢂpgꢂrmming  
rlgpꢂiahm. Hpoeveꢂ, ahe rsapꢃeleca cpdeꢃ crn rlꢃp be rcceꢃꢃed  
in-ꢃꢄꢃaem ahꢂpsgh ahe cpmmrnd ꢂegiꢃaeꢂ.  
The cpmmrnd ꢃeqsence ꢂeqsiꢂemena pf snlpck cꢄcleꢃ fpꢂ  
ꢁꢂpgꢂrmming pꢂ eꢂrꢃing ꢁꢂpvideꢃ drar ꢁꢂpaecaipn rgrinꢃa  
inrdveꢂaena oꢂiaeꢃ (ꢂefeꢂ ap ahe Cpmmrnd Definiaipnꢃ arble). In  
rddiaipn, ahe fpllpoing hrꢂdorꢂe drar ꢁꢂpaecaipn merꢃsꢂeꢃ  
ꢁꢂevena rccidenarl eꢂrꢃsꢂe pꢂ ꢁꢂpgꢂrmming, ohich migha  
paheꢂoiꢃe be crsꢃed bꢄ ꢃꢁsꢂipsꢃ ꢃꢄꢃaem level ꢃignrlꢃ dsꢂing  
VCC ꢁpoeꢂ-sꢁ rnd ꢁpoeꢂ-dpon aꢂrnꢃiaipnꢃ, pꢂ fꢂpm ꢃꢄꢃaem  
npiꢃe.  
When sꢃing ꢁꢂpgꢂrmming eqsiꢁmena, ahe rsapꢃeleca mpde  
ꢂeqsiꢂeꢃ VID pn rddꢂeꢃꢃ ꢁin A9. Addꢂeꢃꢃ ꢁinꢃ A6, A±, rnd A0  
msꢃa be rꢃ ꢃhpon in ahe Asapꢃeleca Cpdeꢃ (High Vplarge  
Meahpd) arble. In rddiaipn, ohen veꢂifꢄing ꢃecapꢂ ꢁꢂpaecaipn,  
ahe ꢃecapꢂ rddꢂeꢃꢃ msꢃa rꢁꢁerꢂ pn ahe rꢁꢁꢂpꢁꢂirae higheꢃa  
pꢂdeꢂ rddꢂeꢃꢃ biaꢃ. Refeꢂ ap ahe cpꢂꢂeꢃꢁpnding Secapꢂ Addꢂeꢃꢃ  
Trbleꢃ. The Cpmmrnd Definiaipnꢃ arble ꢃhpoꢃ ahe ꢂemrining  
Low VCC Write Inhibit  
When VCC iꢃ leꢃꢃ ahrn VLKO, ahe device dpeꢃ npa rcceꢁa  
rnꢄ oꢂiae cꢄcleꢃ. Thiꢃ ꢁꢂpaecaꢃ drar dsꢂing VCC ꢁpoeꢂ-sꢁ rnd  
ꢁpoeꢂ-dpon. The cpmmrnd ꢂegiꢃaeꢂ rnd rll inaeꢂnrl ꢁꢂpgꢂrm/  
TABLE 2: SECTOR ADDRESSES TABLE  
SECTOR  
SA0  
A16  
0
0
0
0
1
1
1
1
A15  
0
0
1
1
0
0
1
1
A14  
0
1
0
1
0
1
0
1
ADDRESS RANGE  
00000h - 03FFFh  
04000h - 07FFFh  
08000h - 0BFFFh  
0C000h - 0FFFFh  
10000h - 13FFFh  
14000h - 17FFFh  
18000h - 1BFFFh  
1C000h - 1FFFFh  
SA1  
SA2  
SA3  
SA4  
SA5  
SA6  
SA7  
NOTE: All ꢃecapꢂꢃ rꢂe ±6 Kbꢄaeꢃ in ꢃize.  
AS29F010  
AustinSemiconductor,Inc.reservestherighttochangeproductsorspecificationswithoutnotice.  
Rev. 2.3 12/08  
5
12345678...26

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