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AS29F010-90TC

更新时间： 2024-01-05 17:07:05

品牌	Logo	应用领域
ALSC		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	155K
描述
Flash, 128KX8, 90ns, PDSO32

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技术参数
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AS29F010-90TC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSSOP, TSSOP32,.8,20	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	90 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
部门数/规模：	4	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP32,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	部门规模：	32K
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.05 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	Base Number Matches：	1

AS29F010-90TC 数据手册

AS29F010

AS29F011

(V = 5.0±0.5V, GND = 0V, T = 0°C to +70°C

DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Max

Unit

Input load current

±1

100

1.5

1.0

µA

Output leakage current

Output short circuit current

Active current, read @ 6MHz

Active current, program/erase

= 0.5V

OUT

CE = V , OE = V

CCPRG

SB1

SB2

CCPD

CE = V

RP = 0V

Input: low level

Input: high level

Output low voltage

Output high level

0.8

= 12mA

0.45

= -2.5 mA

= -100 µA

2.4

OH1

OH2

LKO

- 0.4

Low V lock out voltage

3.2

Input HV select voltage

11.5

12.5

Notes:

• Not more than one output tested simultaneously. Duration of the short circuit must not be >1 second. V

= 0.5V was selected to avoid

OUT

test problems caused by tester ground degradation. (This parameter is sampled and not 100% tested, but guaranteed by characterization.)

• The I current listed includes both the DC operating current and the frequency dependent component (@ 6 MHz). The frequency com-

ponent typically is less than 2 mA/MHz with OE at V

• I active while program or erase operations are in progress.

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