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AS29F010-90TC

更新时间: 2024-01-15 07:53:24
品牌 Logo 应用领域
ALSC 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 155K
描述
Flash, 128KX8, 90ns, PDSO32

AS29F010-90TC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSSOP, TSSOP32,.8,20Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:90 ns命令用户界面:YES
数据轮询:YESJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
部门数/规模:4端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP32,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified部门规模:32K
最大待机电流:0.001 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.05 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL切换位:YES
类型:NOR TYPEBase Number Matches:1

AS29F010-90TC 数据手册

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AS29F010  
AS29F011  
READ WAVEFORM  
(V = 5.0±0.5V, GND = 0V, T = 0°C to +70°C)  
CC  
a
tPWH  
tRC  
Addresses  
CE  
OE  
WE  
tOE  
tCE  
tACC  
I/O 7:0  
HI-Z  
HI-Z  
enabled  
valid data out  
RP  
(AS29F011  
only)  
AS29F010-06  
WRITE COMMAND WAVEFORM  
(V = 5.0±0.5V, GND = 0V, T = 0°C to +70°C)  
CC  
a
tWPH  
tAS  
tAH  
Addresses  
tCS  
CE  
tOES  
OE  
tWP  
WE  
tDH  
tDS  
data in  
I/O 7:0  
HI-Z  
HI-Z  
RP  
(AS29F011  
only)  
AS29F010-07  
8

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