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AS29F010-90TC

更新时间： 2024-01-27 17:54:30

品牌	Logo	应用领域
ALSC		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	155K
描述
Flash, 128KX8, 90ns, PDSO32

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技术参数
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AS29F010-90TC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSSOP, TSSOP32,.8,20	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	90 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
部门数/规模：	4	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP32,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	部门规模：	32K
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.05 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	Base Number Matches：	1

AS29F010-90TC 数据手册

AS29F010

AS29F011

PRELIMINARY DC AND AC CHARACTERISTICS

Normalized supply current I

vs. ambient temperature T

Normalized supply current I

vs. supply voltage V

vs. cycle rate 1/t

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

T = 25°C

= 5.0V

T = 25°C

= 5.0V

4.5

5.0

–10

Ambient temperature (°C)

5.5

Supply voltage (V)

Cycle rate (MHz)

Normalized access time t

vs. ambient temperature T

vs. supply voltage V

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

T = 25°C

= 5.0V

4.5

5.0

–10

+80

5.5

Supply voltage (V)

Ambient temperature (°C)

Program/Erase time

vs. Temperature

vs. V

800

700

600

500

400

300

200

100

800

700

600

500

400

300

200

100

Erase

T = 25°C

= 5.0

Program

4.5

5.0

–10

+80

5.5

AS29F010-11

Supply voltage (V)

Ambient temperature (°C)

1...8 9 101112

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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