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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, D4, 5 PIN | 针数： | 5 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 760 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X5 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 最大功率耗散 (Abs)： | 1600 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | VCEsat-Max： | 1.9 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGT600A60 | ADPOW |
获取价格 |
Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT600A60G | MICROSEMI |
获取价格 |
Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT600A60G_07 | MICROSEMI |
获取价格 |
Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT600A60G-Module | MICROCHIP |
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Configuration: Phase legVCES (V): 600VCESat (V): 1.4Current (A) Tc=80C: 600Silicon type: T |
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| APTGT600DA60G | MICROSEMI |
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Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT600DA60G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Boost chopperVCES (V): 600VCESat (V): 1.4Current (A) Tc=80C: 600Silicon typ |
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| APTGT600DU60 | ADPOW |
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Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT600DU60G | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT600DU60G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Dual common sourceVCES (V): 600VCESat (V): 1.4Current (A) Tc=80C: 600Silico |
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| APTGT600SK60 | ADPOW |
获取价格 |
Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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