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APTGT600SK60

更新时间： 2024-11-30 04:49:39
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ADPOW 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 270K
描述
Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module

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APTGT600SK60 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.68
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：500 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-X5元件数量：1
端子数量：5封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：400 ns
标称接通时间 (ton)：205 nsBase Number Matches：1

APTGT600SK60 数据手册

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APTGT600SK60  
VCES = 600V  
Buck chopper  
Trench + Field Stop IGBT®  
Power Module  
IC = 600A* @ Tc = 80°C  
Application  
•
•
AC and DC motor control  
VBUS  
Switched Mode Power Supplies  
Q1  
G1  
Features  
•
Trench + Field Stop IGBT® Technology  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
E1  
OUT  
Low tail current  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
CR2  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
0/VBUS  
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
-
-
Symmetrical design  
M5 power connectors  
•
High level of integration  
Benefits  
G1  
E1  
VBUS  
0/VBUS  
OUT  
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Low profile  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
600  
700 *  
600 *  
800  
V
TC = 25°C  
TC = 80°C  
TC = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
±20  
2300  
V
W
TC = 25°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
Tj = 150°C 1200A @ 550V  
* Specification of IGBT device but output current must be limited to 500A to not exceed a delta of temperature greater  
than 100°C for the connectors.  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
1 - 5  
APT website – http://www.advancedpower.com  
12345

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与APTGT600SK60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT600SK60G MICROSEMI

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 		Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT600SK60G-Module MICROCHIP

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 		Configuration: Buck chopperVCES (V): 600VCESat (V): 1.4Current (A) Tc=80C: 600Silicon type
APTGT600U120D4 ADPOW

获取价格

 		Single switch Trench IGBT Power Module
APTGT600U120D4G MICROSEMI

获取价格

 		Single switch Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT600U120D4G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Single switchVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 600Silicon ty
APTGT600U170D4 MICROSEMI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 1100A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-4
APTGT600U170D4 ADPOW

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 1100A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-4
APTGT600U170D4G MICROSEMI

获取价格

 		Single switch Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT600U170D4G ADPOW

获取价格

 		Single switch Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT600U170D4G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Single switchVCES (V): 1700VCESat (V): 2Current (A) Tc=80C: 600Silicon type

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