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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 1.51 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 880 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | JESD-30 代码： | R-XUFM-X4 |
| JESD-609代码： | e1 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 830 ns | 标称接通时间 (ton)： | 400 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGT600U120D4G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Single switchVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 600Silicon ty |
|
| APTGT600U170D4 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1100A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-4 |
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| APTGT600U170D4 | ADPOW |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1100A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-4 |
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| APTGT600U170D4G | MICROSEMI |
获取价格 |
Single switch Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT600U170D4G | ADPOW |
获取价格 |
Single switch Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
| APTGT600U170D4G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Single switchVCES (V): 1700VCESat (V): 2Current (A) Tc=80C: 600Silicon type |
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| APTGT750U60D4G | MICROSEMI |
获取价格 |
Single switch Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT750U60D4G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Single switchVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 750Silicon typ |
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| APTGT75A120D1 | ADPOW |
获取价格 |
Phase leg Trench IGBT Power Module |
|
| APTGT75A120D1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
|
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