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APTGT30A170D1 PDF预览

APTGT30A170D1

更新时间： 2024-09-27 19:47:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网电动机控制栅晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 185K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

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APTGT30A170D1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：MODULE-7针数：7
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.19
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：45 A集电极-发射极最大电压：1700 V
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-XUFM-X7
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：7最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：965 ns
标称接通时间 (ton)：330 nsBase Number Matches：1

APTGT30A170D1 数据手册

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APTGT30A170D1  
VCES = 1700V  
IC = 30A @ Tc = 80°C  
Phase leg  
Trench IGBT® Power Module  
Application  
•
•
•
•
Welding converters  
3
Q1  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Motor control  
4
5
Features  
1
•
Trench + Field Stop IGBT® Technology  
Q2  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
6
7
2
•
•
•
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Low stray inductance  
High level of integration  
Kelvin emitter for easy drive  
Low stray inductance  
3
2
1
-
M5 power connectors  
4
5
Benefits  
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
7
6
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
1700  
45  
30  
70  
±20  
210  
V
TC = 25°C  
TC = 80°C  
TC = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
TC = 25°C  
Tj = 125°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operation Area  
70A@1700V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
1 - 3  
APT website – http://www.advancedpower.com  
123

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与APTGT30A170D1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT30A170D1G MICROSEMI

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
APTGT30A170T1G MICROSEMI

获取价格

 		Phase leg Trench + Field Stop IGBT® Power Mod
APTGT30A170T1G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Phase legVCES (V): 1700VCESat (V): 2Current (A) Tc=80C: 30Silicon type: TRE
APTGT30A60T1G MICROSEMI

获取价格

 		Phase leg Trench + Field Stop IGBT® Power Mod
APTGT30DA170D1 ADPOW

获取价格

 		Boost chopper Trench IGBT Power Module
APTGT30DA170T1G MICROSEMI

获取价格

 		Boost chopper Trench + Field Stop IGBT® Power
APTGT30DDA60T3 ADPOW

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 		Dual Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT30DDA60T3G MICROSEMI

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