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Datasheet > 晶体管 > IGBT> APTGT150DH60T
APTGT150DH60T PDF预览

APTGT150DH60T

更新时间： 2024-11-20 13:02:15
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 260K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-14

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APTGT150DH60T 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：MODULE-14针数：14
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.21
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：225 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X14
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：14最高工作温度：175 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：480 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：370 ns
标称接通时间 (ton)：180 nsVCEsat-Max：1.9 V
Base Number Matches：1

APTGT150DH60T 数据手册

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APTGT150DH60TG  
Asymmetrical - Bridge  
Trench + Field Stop IGBT®  
Power Module  
VCES = 600V  
IC = 150A @ Tc = 80°C  
Application  
VBUS  
•
•
•
•
Welding converters  
VBUSSENSE  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Motor control  
Q1  
G1  
E1  
CR3  
Features  
•
Trench + Field Stop IGBT® Technology  
OUT1  
OUT2  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Q4  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
G4  
E4  
CR2  
Low leakage current  
0/VBUS SENSE  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
NTC1  
NTC2  
0/VBUS  
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
-
-
Symmetrical design  
Lead frames for power connections  
•
•
Internal thermistor for temperature monitoring  
High level of integration  
Benefits  
G4  
E4  
VBUS  
OUT2  
•
•
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
SENSE  
Very rugged  
Solderable terminals for easy PCB mounting  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Low profile  
OUT1  
VBUS  
0/VBUS  
E1  
G1  
NTC2  
NTC1  
0/VBUS  
SENSE  
RoHS Compliant  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
600  
225  
150  
350  
±20  
480  
V
TC = 25°C  
TC = 80°C  
TC = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
TC = 25°C  
Tj = 150°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
300A @ 550V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 - 5  
www.microsemi.com  
12345

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与APTGT150DH60T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT150DH60TG MICROSEMI

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 		Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT150DH60TG-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Asymmetrical bridgeVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 150Silic
APTGT150DU120 ADPOW

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 		Dual common source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT150DU120G MICROSEMI

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 		Dual common source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT150DU120G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Dual common sourceVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 150Silic
APTGT150DU120T ADPOW

获取价格

 		Dual common source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT150DU120TG MICROSEMI

获取价格

 		Dual common source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT150DU120TG-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Dual common sourceVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 150Silic
APTGT150DU170 ADPOW

获取价格

 		Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT150DU170G MICROSEMI

获取价格

 		Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module

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