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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X14 |
| 针数： | 14 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.21 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 225 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | JESD-30 代码： | R-XUFM-X14 |
| JESD-609代码： | e1 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 370 ns | 标称接通时间 (ton)： | 180 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGT150DH60TG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Asymmetrical bridgeVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 150Silic |
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| APTGT150DU120 | ADPOW |
获取价格 |
Dual common source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT150DU120G | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual common source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT150DU120G-Module | MICROCHIP |
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Configuration: Dual common sourceVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 150Silic |
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| APTGT150DU120T | ADPOW |
获取价格 |
Dual common source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT150DU120TG | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual common source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
| APTGT150DU120TG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Dual common sourceVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 150Silic |
|
| APTGT150DU170 | ADPOW |
获取价格 |
Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT150DU170G | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT150DU60T | ADPOW |
获取价格 |
Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
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