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APTGT150DU60TG PDF预览

APTGT150DU60TG

更新时间： 2024-11-24 04:49:39
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
5页 258K
描述
Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module

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APTGT150DU60TG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12针数：12
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.73
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：225 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X12
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：12
最高工作温度：175 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：480 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：370 ns标称接通时间 (ton)：180 ns
VCEsat-Max：1.9 VBase Number Matches：1

APTGT150DU60TG 数据手册

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APTGT150DU60TG  
Dual common source  
Trench + Field Stop IGBT®  
Power Module  
VCES = 600V  
IC = 150A @ Tc = 80°C  
Application  
•
•
•
AC Switches  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
C1  
C2  
Q1  
Q2  
G1  
E1  
G2  
E2  
Features  
•
Trench + Field Stop IGBT® Technology  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
E
NTC1  
NTC2  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
-
-
Symmetrical design  
Lead frames for power connections  
•
•
High level of integration  
Internal thermistor for temperature monitoring  
G2  
E2  
Benefits  
C2  
C2  
•
•
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
C1  
E
Solderable terminals for easy PCB mounting  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Low profile  
E1  
G1  
E2  
G2  
NTC2  
NTC1  
RoHS Compliant  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
600  
225  
150  
350  
±20  
480  
V
TC = 25°C  
TC = 80°C  
TC = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
TC = 25°C  
Tj = 150°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
300A @ 550V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 - 5  
www.microsemi.com  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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