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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | TO-263, D2PAK-3 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.77 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, SNUBBER DIODE, LOW NOISE |
| 应用： | ULTRA FAST SOFT RECOVERY | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 2.4 V |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 110 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 8 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 600 V | 最大反向恢复时间： | 0.019 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT8DQ60SAG | MICROSEMI |
获取价格 |
ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE |
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| APT8DQ60SAG | ADPOW |
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ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE |
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| APT8GT60KR | ADPOW |
获取价格 |
The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of |
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| APT8M100B | MICROSEMI |
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N-Channel MOSFET |
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| APT8M100B_09 | MICROSEMI |
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N-Channel MOSFET |
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| APT8M100S | MICROSEMI |
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N-Channel MOSFET |
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| APT8M80K | MICROSEMI |
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N-Channel MOSFET |
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| APT90-101DN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 11A I(D) | CHIP |
|
| APT901R1AN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 9.5A I(D) | TO-3 |
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| APT901R1BN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 10.5A I(D) | TO-247AD |
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