5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT901R1DN | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| APT901R1HN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 9.5A I(D) | TO-258ISO |
|
| APT901R2AN | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| APT901R2BN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247AD |
|
| APT901R3AN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 8.5A I(D) | TO-3 |
|
| APT901R3BN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247AD |
|
| APT901R3HN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-258ISO |
|
| APT901R6AN | ADPOW |
获取价格 |
Transistor |
|
| APT901R6BN | MICROSEMI |
获取价格 |
8A, 900V, 1.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
|
| APT901R6BN-BUTT | MICROSEMI |
获取价格 |
8A, 900V, 1.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
