是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.69 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | HIGH RELIABILITY, LOW NOISE, LOW LEAKAGE CURRENT, FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE | 应用: | ULTRA FAST SOFT RECOVERY |
外壳连接: | CATHODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
最大非重复峰值正向电流: | 110 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最大输出电流: | 8 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 600 V | 最大反向恢复时间: | 0.019 µs |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
APT8GT60KR | ADPOW |
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The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of | |
APT8M100B | MICROSEMI |
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N-Channel MOSFET | |
APT8M100B_09 | MICROSEMI |
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N-Channel MOSFET | |
APT8M100S | MICROSEMI |
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N-Channel MOSFET | |
APT8M80K | MICROSEMI |
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N-Channel MOSFET | |
APT90-101DN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 11A I(D) | CHIP | |
APT901R1AN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 9.5A I(D) | TO-3 | |
APT901R1BN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 10.5A I(D) | TO-247AD | |
APT901R1DN | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
APT901R1HN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 9.5A I(D) | TO-258ISO |