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APT8024LLLG

更新时间： 2024-11-21 18:36:59

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	1660K
描述
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 800V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN

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APT8024LLLG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-264AA	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.11	雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (ID)：	31 A
最大漏源导通电阻：	0.24 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	124 A
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APT8024LLLG 数据手册

APT8024B2LL(G)

APT8024LLL(G)

^*G8^Den0^ote0^{s Ro}V^{HS Com}3^plia1^{nt, P}A^{b Free T}0^erm.ⁱⁿ2^{al F}4^inis0^h.Ω

B2LL

POWER MOS 7 MOSFET

Power MOS 7^®is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel

enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching

losses are addressed with Power MOS 7^®by significantly lowering R_DS(ON)

and Q_g. Power MOS 7^®combines lower conduction and switching losses

along with exceptionally fast switching speeds inherent with APT's

patented metal gate structure.

T-MAX™

TO-264

LLL

• Lower Input Capacitance

• Increased Power Dissipation

• Lower Miller Capacitance • Easier To Drive

• Lower Gate Charge, Qg

• Popular T-MAX™ or TO-264 Package

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT8024B2LL_LLL(G) UNIT

V_DSS

I_D

Drain-Source Voltage

800

Volts

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Amps

I_DM

Pulsed Drain Current

124

V_GS

V_GSM

Gate-Source Voltage Continuous

Gate-Source Voltage Transient

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Linear Derating Factor

±30

Volts

±40

Watts

W/°C

565

P_D

4.52

-55 to 150

300

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

°C

Amps

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

I_AR

Avalanche Current

(Repetitive and Non-Repetitive)

E_AR

E_AS

Repetitive Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy

2500

STATICELECTRICALCHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Volts

Ohms

BV_DSS

R_DS(on)

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250µA)

800

Drain-Source On-State Resistance

(V_GS= 10V, I_D= 15.5A)

0.240

100

500

±100

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 800V, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 640V, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 2.5mA)

I_DSS

µA

I_GSS

V_GS(th)

Volts

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

12 3 4 5

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APT8024LLLG 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
APT8024LFLLG	MICROSEMI	完全替代	Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 800V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT8020LLLG	MICROSEMI	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 800V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
APT44F80L	MICROSEMI	类似代替	N-Channel FREDFET

与APT8024LLLG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT8024LVFR	ADPOW	获取价格	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT8024LVR	ADPOW	获取价格	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT8028JVR	ADPOW	获取价格	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT8028JVR	MICROSEMI	获取价格	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT802R4AN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-3
APT802R4BN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 5.5A I(D) \| TO-247AD
APT802R4BN-BUTT	MICROSEMI	获取价格	5.5 A, 800 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT802R4BN-GULLWING	MICROSEMI	获取价格	5.5A, 800V, 2.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN
APT802R4CN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 4.5A I(D) \| TO-254ISO
APT802R4DN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| CHIP

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