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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT802R4GN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.3A I(D) | TO-257ISO |
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| APT802R4KN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.7A I(D) | TO-220 |
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| APT802R8AN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-3 |
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| APT802R8BN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-247AD |
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| APT802R8BN-BUTT | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 800V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| APT802R8BN-GULLWING | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 800V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| APT802R8CN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-254ISO |
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| APT802R8GN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-257ISO |
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| APT802R8KN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.4A I(D) | TO-220 |
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| APT802RAN | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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