5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT802R4KN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.7A I(D) | TO-220 |
|
| APT802R8AN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-3 |
|
| APT802R8BN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-247AD |
|
| APT802R8BN-BUTT | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 800V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| APT802R8BN-GULLWING | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 800V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| APT802R8CN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-254ISO |
|
| APT802R8GN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-257ISO |
|
| APT802R8KN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.4A I(D) | TO-220 |
|
| APT802RAN | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| APT802RBN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-247AD |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
