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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT802R4BN-BUTT | MICROSEMI |
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5.5 A, 800 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
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| APT802R4BN-GULLWING | MICROSEMI |
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5.5A, 800V, 2.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN |
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| APT802R4CN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-254ISO |
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| APT802R4DN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | CHIP |
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| APT802R4GN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.3A I(D) | TO-257ISO |
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| APT802R4KN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.7A I(D) | TO-220 |
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| APT802R8AN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-3 |
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| APT802R8BN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-247AD |
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| APT802R8BN-BUTT | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 800V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| APT802R8BN-GULLWING | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 800V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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