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APT802R8BN-GULLWING

更新时间: 2024-11-21 14:47:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 162K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 800V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, 3 PIN

APT802R8BN-GULLWING 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-247
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:800 V最大漏极电流 (ID):5 A
最大漏源导通电阻:2.8 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):66 pFJESD-30 代码:R-PSFM-G3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:180 W最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):79 ns
最大开启时间(吨):42 nsBase Number Matches:1

APT802R8BN-GULLWING 数据手册

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