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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.5 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT802RBN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-247AD |
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| APT802RCN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-254AA |
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| APT802RDN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 6A I(D) | CHIP |
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| APT802RGN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220HERM |
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| APT8030 | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT8030B2VFR | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT8030B2VFR_05 | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
|
| APT8030B2VR | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT8030B2VR | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 800V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT8030B2VRG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 800V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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