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APT6013JFLL

更新时间： 2024-11-06 20:29:15
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 161K
描述
Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 600V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOTOP-4

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APT6013JFLL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：ISOTOP
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4针数：4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.14
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED
雪崩能效等级（Eas）：2500 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：39 A最大漏极电流 (ID)：39 A
最大漏源导通电阻：0.13 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PUFM-X4JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：460 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：156 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

APT6013JFLL 数据手册

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APT6013JFLL  
600V 39A 0.130Ω  
S
R
S
POWER MOS 7 FREDFET  
D
Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel  
enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching  
losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON)  
and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses  
along with exceptionally fast switching speeds inherent with APT's  
patented metal gate structure.  
G
SOT-227  
"UL Recognized"  
ISOTOP®  
• Lower Input Capacitance  
• Lower Miller Capacitance  
• Lower Gate Charge, Qg  
• Increased Power Dissipation  
• Easier To Drive  
D
S
G
• Popular SOT-227 Package  
•
FAST RECOVERY BODY DIODE  
MAXIMUM RATINGS  
Symbol Parameter  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
APT6013JFLL  
UNIT  
VDSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
600  
39  
Volts  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
Amps  
Volts  
1
IDM  
Pulsed Drain Current  
156  
VGS  
VGSM  
Gate-Source Voltage Continuous  
Gate-Source Voltage Transient  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Linear Derating Factor  
±30  
±40  
Watts  
W/°C  
460  
PD  
3.68  
-55 to 150  
300  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
°C  
Amps  
mJ  
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.  
1
IAR  
Avalanche Current  
(Repetitive and Non-Repetitive)  
39  
1
EAR  
EAS  
Repetitive Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy  
50  
4
2500  
STATICELECTRICALCHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
Volts  
Ohms  
BVDSS  
RDS(on)  
Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250µA)  
600  
2
Drain-Source On-State Resistance  
(VGS = 10V, ID = 19.5A)  
0.130  
250  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 600V, VGS = 0V)  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 480V, VGS = 0V, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)  
Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 2.5mA)  
IDSS  
µA  
1000  
±100  
5
IGSS  
nA  
VGS(th)  
Volts  
3
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
APT Website - http://www.advancedpower.com  
12345

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