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APT6013JVR

更新时间： 2024-11-06 02:59:35
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网
页数 文件大小 规格书
4页 71K
描述
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

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APT6013JVR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：ISOTOP
包装说明：ISOTOP-4针数：4
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.64
Is Samacsys：N其他特性：FAST SWITCHING
雪崩能效等级（Eas）：1300 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A最大漏极电流 (ID)：40 A
最大漏源导通电阻：0.13 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PUFM-X4元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：500 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

APT6013JVR 数据手册

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APT6013JVR  
600V 40A 0.130Ω  
POWER MOS V®  
S
S
Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement  
mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,  
increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V®  
also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.  
D
G
SOT-227  
"UL Recognized"  
ISOTOP®  
• Faster Switching  
• Lower Leakage  
• 100% Avalanche Tested  
• Popular SOT-227 Package  
D
Unless stated otherwise, Microsemi discrete MOSFETs contain a single MOSFET die. This device is made with  
two parallel MOSFET die. It is intended for switch-mode operation. It is not suitable for linear mode operation.  
G
S
MAXIMUM RATINGS  
Symbol Parameter  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
APT6013JVR  
UNIT  
VDSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
600  
40  
Volts  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
Amps  
Volts  
1
IDM  
Pulsed Drain Current  
160  
±30  
±40  
500  
4
VGS  
VGSM  
Gate-Source Voltage Continuous  
Gate-Source Voltage Transient  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Linear Derating Factor  
Watts  
W/°C  
PD  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to 150  
300  
30  
°C  
Amps  
mJ  
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.  
1
IAR  
Avalanche Current  
(Repetitive and Non-Repetitive)  
1
EAR  
EAS  
30  
Repetitive Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy  
4
1300  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
600  
40  
TYP  
MAX  
UNIT  
BVDSS  
ID(on)  
Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250µA)  
Volts  
2
On State Drain Current  
(VDS > ID(on) x RDS(on) Max, VGS = 10V)  
Amps  
2
RDS(on)  
Drain-Source On-State Resistance  
(VGS = 10V, 0.5 ID[Cont.])  
Ohms  
µA  
0.130  
50  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = VDSS, VGS = 0V)  
IDSS  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 0.8 VDSS, VGS = 0V, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)  
Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 1mA)  
500  
±100  
4
IGSS  
nA  
VGS(th)  
Volts  
2
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
Microsemi Website - http://www.microsemi.com  
1234

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