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APT6015JN

更新时间： 2024-11-05 22:33:59
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网高电压电源
页数 文件大小 规格书
4页 65K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

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APT6015JN 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.65其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：38 A
最大漏极电流 (ID)：38 A最大漏源导通电阻：0.15 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：570 pF
JESD-30 代码：R-PUFM-X4元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：520 W最大功率耗散 (Abs)：520 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：152 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：101 ns
最大开启时间（吨）：78 nsBase Number Matches：1

APT6015JN 数据手册

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S
D
S
S
D
G
G
SOT-227  
APT6015JN 600V 38.0A 0.15Ω  
APT6018JN 600V 35.0A 0.18Ω  
"UL Recognized" File No. E145592 (S)  
ISOTOP®  
POWER MOS IV®  
SINGLE DIE ISOTOP® PACKAGE  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS  
MAXIMUM RATINGS  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
APT  
APT  
Symbol Parameter  
6015JN  
6018JN  
UNIT  
VDSS  
600  
38  
600  
35  
Volts  
Drain-Source Voltage  
ID  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
Amps  
1
IDM, lLM  
VGS  
152  
140  
Pulsed Drain Current  
and Inductive Current Clamped  
Gate-Source Voltage  
±30  
520  
4.16  
Volts  
Watts  
W/°C  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Linear Derating Factor  
PD  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.  
-55 to 150  
300  
°C  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Characteristic / Test Conditions / Part Number  
Symbol  
MIN  
600  
600  
38  
TYP  
MAX  
UNIT  
APT6015JN  
APT6018JN  
APT6015JN  
APT6018JN  
APT6015JN  
APT6018JN  
Drain-Source Breakdown Voltage  
BVDSS  
Volts  
(VGS = 0V, ID = 250 µA)  
2
On State Drain Current  
ID(ON)  
Amps  
Ohms  
µA  
(VDS > ID(ON) x RDS(ON) Max, VGS = 10V)  
35  
2
0.15  
0.18  
250  
1000  
±100  
4
Drain-Source On-State Resistance  
RDS(ON)  
(VGS = 10V, 0.5 ID [Cont.])  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = VDSS, VGS = 0V)  
IDSS  
IGSS  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 0.8 VDSS, VGS = 0V, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)  
nA  
VGS(TH) Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 2.5mA)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
2
Volts  
Symbol Characteristic  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
RΘJC  
RΘCS  
Junction to Case  
0.24  
°C/W  
Case to Sink (Use High Efficiency Thermal Joint Compound and Planer Heat Sink Surface.)  
0.06  
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
USA  
405 S.W. Columbia Street  
EUROPE  
Bend, Oregon 97702-1035  
F-33700 Merignac - France  
Phone: (541) 382-8028  
Phone: (33) 5 57 92 15 15  
FAX: (541) 388-0364  
FAX: (33) 5 56 47 97 61  
Avenue J.F. Kennedy Bât B4 Parc Cadéra Nord  
1234

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