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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT601R2GN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-220HERM |
|
| APT601R3AN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-3 |
|
| APT601R3BN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | TO-247AD |
|
| APT601R3BNR | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | TO-247AD |
|
| APT601R3CN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-254ISO |
|
| APT601R3DN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | CHIP |
|
| APT601R3GN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-257ISO |
|
| APT601R3KN | MICROSEMI |
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6.5A, 600V, 1.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN |
|
| APT601R3KN | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 600V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| APT601R6AN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-3 |
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