5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> APT6013LLL
APT6013LLL PDF预览

APT6013LLL

更新时间： 2024-11-20 22:31:11
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
2页 73K
描述
Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.

阅读下载

中文翻译

获取价格

APT6013LLL 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.7Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：2500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：43 A最大漏极电流 (ID)：43 A
最大漏源导通电阻：0.13 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-264AAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：565 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：172 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

APT6013LLL 数据手册

 浏览型号APT6013LLL的Datasheet PDF文件第2页 
APT6013B2LL  
APT6013LLL  
600V 43A 0.130W  
B2LL  
TM  
POWER MOS 7  
Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel  
enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching  
losses are addressed with Power MOS 7TM by significantly lowering RDS(ON)  
and Qg. Power MOS 7TM combines lower conduction and switching losses  
along with exceptionally fast switching speeds inherent with APT's  
patented metal gate structure.  
T-MAX™  
TO-264  
LLL  
D
• Lower Input Capacitance  
• Increased Power Dissipation  
• Lower Miller Capacitance • Easier To Drive  
G
• Lower Gate Charge, Qg  
MAXIMUM RATINGS  
Symbol Parameter  
• Popular T-MAX™ or TO-264 Package  
S
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
APT6013  
600  
UNIT  
VDSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Volts  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
43  
Amps  
Volts  
1
IDM  
Pulsed Drain Current  
172  
VGS  
VGSM  
Gate-Source Voltage Continuous  
Gate-Source Voltage Transient  
±30  
±40  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Linear Derating Factor  
565  
Watts  
W/°C  
PD  
4.52  
-55 to 150  
300  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
°C  
Amps  
mJ  
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.  
1
IAR  
Avalanche Current  
(Repetitive and Non-Repetitive)  
43  
1
EAR  
EAS  
50  
Repetitive Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy  
4
2500  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
600  
43  
TYP  
MAX  
UNIT  
BVDSS  
ID(on)  
Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250µA)  
Volts  
2
On State Drain Current  
(VDS > ID(on) x RDS(on) Max, VGS = 10V)  
Amps  
2
RDS(on)  
Drain-Source On-State Resistance  
(VGS = 10V, 0.5 ID[Cont.])  
Ohms  
µA  
0.130  
100  
500  
±100  
5
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = VDSS, VGS = 0V)  
IDSS  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 0.8 VDSS, VGS = 0V, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)  
Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 2.5mA)  
IGSS  
nA  
VGS(th)  
Volts  
3
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
APT Website - http://www.advancedpower.com  
USA  
405 S.W. Columbia Street  
Chemin de Magret  
Bend, Oregon 97702-1035  
F-33700 Merignac - France  
Phone: (541) 382-8028  
Phone: (33) 5 57 92 15 15  
FAX: (541) 388-0364  
FAX: (33) 5 56 47 97 61  
EUROPE  
12

中文翻译

下载PDF

与APT6013LLL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APT6013LLLG MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 600V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT6014DN ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 43A I(D) | CHIP
APT6014FN ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 43A I(D) | SIP-TAB
APT6015 ADPOW

获取价格

 		Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT6015B2VFR ADPOW

获取价格

 		POWER MOS V FREDFET
APT6015B2VFRG MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 600V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT6015B2VR ADPOW

获取价格

 		Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT6015EN ADPOW

获取价格

 		Transistor
APT6015JFVR ADPOW

获取价格

 		Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT6015JN ADPOW

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

与APT6013LLL相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证