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APT1101R2BFLL

更新时间： 2024-02-14 19:43:02

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ADPOW		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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POWER MOS 7 FREDFET

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APT1101R2BFLL 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	298 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

APT1101R2BFLL 数据手册

Typical Performance Curves

APT1101R2BFLL_SFLL

=15 & 10V

7.5V

RC MODEL

Junction

temp. (°C)

6.5V

0.164

0.257

0.00592F

0.125F

Power

(watts)

5.5V

Case temperature. (°C)

,DRAIN-TO-SOURCEVOLTAGE(VOLTS)

FIGURE2, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL

FIGURE3,LOW VOLTAGE OUTPUTCHARACTERISTICS

1.40

NORMALIZED TO

> I (ON) x

(ON)MAX.

= 10V @ 5A

250µSEC. PULSE TEST

@ <0.5 % DUTY CYCLE

1.30

1.20

1.10

1.00

=10V

= -55°C

= +25°C

=20V

0.90

0.80

= +125°C

10 12 14 16 18 20

,GATE-TO-SOURCEVOLTAGE(VOLTS)

I ,DRAINCURRENT(AMPERES)

FIGURE4, TRANSFERCHARACTERISTICS

FIGURE5,R (ON)vsDRAINCURRENT

1.15

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

100

125

150

-50 -25

75 100 125 150

T ,CASETEMPERATURE(°C)

T ,JUNCTIONTEMPERATURE(°C)

FIGURE6,MAXIMUMDRAINCURRENTvsCASETEMPERATURE

FIGURE7,BREAKDOWNVOLTAGEvsTEMPERATURE

1.2

= 5A

= 10V

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

-50 -25

25 50

75 100 125 150

-50 -25

75 100 125 150

T ,JUNCTIONTEMPERATURE(°C)

T ,CASETEMPERATURE(°C)

FIGURE8,ON-RESISTANCEvs.TEMPERATURE

FIGURE9,THRESHOLDVOLTAGEvsTEMPERATURE

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT1101R2SFLL	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
APT1101R2SFLL	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 FREDFET
APT1101RBFLL	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 FREDFET
APT1101RBFLLG	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1100V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
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