AP90T03P

更新时间： 2024-09-13 12:26:35

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富鼎先进 - A-POWER		驱动
页数	文件大小	规格书
5页	152K
描述
Lower On- resistance, Simple Drive Requirement

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AP90T03P 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.004 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	350 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP90T03P 数据手册

AP90T03P

RoHS-compliant Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Lower On- resistance

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

30V

4mΩ

75A

▼ Simple Drive Requirement

▼ Fast Switching Characteristic

Description

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with

the best combination of fast switching, ruggedized device design,

low on-resistance and cost-effectiveness.

TO-220(P)

The TO-220 package is widely preferred for commercial-industrial

power applications and suited for low voltage applications such as

DC/DC converters.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current, V_GS@10V³

±20

I_D@T_c=25℃

I_D@T_c=100℃

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@10V

Pulsed Drain Current¹

350

P_D@T_c=25℃

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.7

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Units

℃/W

Rthj-c

Maximum Thermal Resistance, Junction-case

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient

1.3

Rthj-a

Data and specifications subject to change without notice

200802183

12 3 4 5

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