AP90T03P-HF

更新时间： 2024-11-23 13:00:23

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲驱动
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6页	212K
描述
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power

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AP90T03P-HF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.004 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	350 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP90T03P-HF 数据手册

AP90T03GH/J

RoHS-compliant Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Lower On- resistance

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

30V

4mΩ

75A

▼ Simple Drive Requirement

▼ Fast Switching Characteristic

Description

The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial

surface mount applications and suited for low voltage applications

such as DC/DC converters. The through-hole version (AP90T03GJ)

is available for low-profile applications.

TO-252(H)

TO-251(J)

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_DM

350

P_D@T_C=25℃

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.7

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

1.3

Unit

℃/W

Rthj-c

Rthj-a

Maximum Thermal Resistance, Junction-case

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient

110

Data & specifications subject to change without notice

200802182

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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