AP5521GM-HF

更新时间： 2024-02-18 17:53:47

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP5521GM-HF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	2.5 A
最大漏源导通电阻：	0.15 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP5521GM-HF 数据手册

AP5521GM-HF

P-Channel

T _A=25 ^oC

T _A= 150 ^oC

-10V

-8.0V

-7.0V

-10V

-8.0V

-7.0V

-6.0V

V _G= - 5.0V

-6.0V

V _G= - 5.0V

-V_DS, Drain-to-Source Voltage (V)

Fig 1. Typical Output Characteristics

Fig 2. Typical Output Characteristics

2.2

1.8

1.4

1.0

0.6

0.2

160

150

140

130

120

I _D= -1 A

T _A=25 ^oC

I _D= -2 A

_G= - 10V

-30

-50

100

150

T _j, Junction Temperature ( ^oC)

-V_GS, Gate-to-Source Voltage (V)

Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage

Fig 4. Normalized On-Resistance

v.s. Junction Temperature

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

T _j=150 ^oC

T _j=25 ^oC

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

-50

100

150

T _j, Junction Temperature ( ^oC)

-V_SD, Source-to-Drain Voltage (V)

Fig 5. Forward Characteristic of

Reverse Diode

Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.

Junction Temperature

1...3 4 567

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