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AP55T10GP-HF

更新时间： 2024-01-19 20:43:19

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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技术参数
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AP55T10GP-HF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	54 A
最大漏源导通电阻：	0.018 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP55T10GP-HF 数据手册

AP55T10GP-HF

Halogen-Free Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

100V

16.5mΩ

56A

▼ Lower Gate Charge

▼ Fast Switching Characteristic

▼ RoHS Compliant & Halogen-Free

Description

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

TO-220(P)

The TO-220 package is widely preferred for commercial-industrial

power applications and suited for low voltage applications such as

DC/DC converters.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

100

+20

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_DM

160

125

P_D@T_C=25℃

P_D@T_A=25℃

T_STG

Total Power Dissipation

℃

Total Power Dissipation

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 175

T_J

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Units

℃/W

Rthj-c

Maximum Thermal Resistance, Junction-case

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient

1.2

Rthj-a

Data and specifications subject to change without notice

201103092

12 3 4

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与AP55T10GP-HF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AP55T10GS-HF	A-POWER	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	获取价格
AP-56056015%	VISHAY	General Purpose Inductor, 560uH, 15%, 1 Element, Ferrite-Core	获取价格
AP561	TRIQUINT	2.3-2.9 GHz WiMAX 8W Power Amplifier	获取价格
AP561_09	TRIQUINT	0.7-2.9 GHz WiMAX 8W Power Amplifier	获取价格
AP561-F	TRIQUINT	2.3-2.9 GHz WiMAX 8W Power Amplifier	获取价格
AP561-F_15	TRIQUINT	0.7-2.9 GHz 8W HBT Power Amplifier	获取价格