AP4407GR

更新时间： 2024-02-24 00:53:31

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管
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4页	72K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP4407GR 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.83
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	50 A	最大漏源导通电阻：	0.014 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	180 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

AP4407GR 数据手册

AP4407GR

Pb Free Plating Product

Advanced Power

Electronics Corp.

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Lower On-resistance

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

-30V

14mΩ

-50A

▼ Simple Drive Requirement

▼ Fast Switching Characteristic

Description

The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

TO-262(R)

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

-30

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±25

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_DM

-50

-32

180

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.4

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Units

℃/W

Rthj-c

Thermal Resistance Junction-case

Thermal Resistance Junction-ambient

Max.

2.3

Rthj-a

Data and specifications subject to change without notice

200218051

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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AP4407GS-HF	A-POWER	TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power	获取价格
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AP4407I-HF	A-POWER	Lower On-resistance, Fast Switching Characteristic	获取价格
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