AP4407GM-HF

更新时间： 2024-01-04 00:57:19

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管驱动
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5页	213K
描述
Simple Drive Requirement, Low On-resistance

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AP4407GM-HF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.83
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	50 A	最大漏源导通电阻：	0.014 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	180 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

AP4407GM-HF 数据手册

AP4407GM-HF

T _A=150 ^oC

-10V

-5.0V

-4.5V

-4.0V

-10V

-5.0V

-4.5V

-4.0V

T _A=25 ^oC

V _G=-3.0V

-V _DS, Drain-to-Source Voltage (V)

Fig 1. Typical Output Characteristics

Fig 2. Typical Output Characteristics

1.80

1.60

1.40

1.20

1.00

0.80

0.60

I _D=-10A

_A=25 ^oC

_D=-10A

V _GS= -10V

-50

100

150

T _j, Junction Temperature ( ^oC)

-V _GS, Gate-to-Source Voltage (V)

Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage

Fig 4. Normalized On-Resistance

v.s. Junction Temperature

100.00

2.6

2.2

1.8

1.4

10.00

1.00

0.10

0.01

T _j=150 ^oC

T _j=25 ^oC

0.6

0.1

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

1.3

1.5

-50

100

150

T _j, Junction Temperature ( ^oC)

-V _SD, Source-to-Drain Voltage (V)

Fig 5. Forward Characteristic of

Reverse Diode

Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.

Junction Temperature

1 234 5

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