AP3987I

更新时间： 2024-02-28 09:30:08

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP3987I 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.69
雪崩能效等级（Eas）：	27 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	7 A
最大漏源导通电阻：	1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	28 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP3987I 数据手册

AP3987I

RoHS-compliant Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ 100% Avalanche Test

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

600V

1Ω

▼ Fast Switching Characteristic

▼ Simple Drive Requirement

Description

AP3987 series are specially designed as main switching devices for

universal 90~265VAC off-line AC/DC converter applications.

TO-220CFM type provide high blocking voltage to overcome voltage surge

and sag in the toughest power system with the best combination of fast

switching,ruggedized design and cost-effectiveness.

TO-220CFM(I)

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

600

±30

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

I_D@T_C=25℃

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_C=100℃

4.4

I_DM

P_D@T_C=25℃

Total Power Dissipation

Single Pulse Avalanche Energy²

E_AS

I_AR

Avalanche Current

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

℃

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Units

℃/W

Rthj-c

Maximum Thermal Resistance, Junction-case

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient

3.4

Rthj-a

Data & specifications subject to change without notice

200804111

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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