AP2302N

更新时间： 2024-02-25 15:29:46

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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AP2302N 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.65	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏源导通电阻：	0.064 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP2302N 数据手册

AP2302N

Electrical Characteristics@T_j=25^oC(unless otherwise specified)

Symbol

BV_DSS

Parameter

Test Conditions

V_GS=0V, I_D=250uA

Min. Typ. Max. Units

Drain-Source Breakdown Voltage

0.1

ΔBV_DSS/ΔT_j

Breakdown Voltage Temperature Coefficient Reference to 25℃, I_D=1mA

Static Drain-Source On-Resistance²V_GS=4.5V, I_D=3.6A

V_GS=2.5V, I_D=3.1A

V/℃

mΩ

R_DS(ON)

0.5

115 mΩ

V_GS(th)

g_fs

Gate Threshold Voltage

V_DS=V_GS, I_D=250uA

V_DS=5V, I_D=3.6A

V_DS=20V, V_GS=0V

V_DS=20V ,V_GS=0V

V_GS=±12V

1.2

Forward Transconductance

Drain-Source Leakage Current (T=25^oC)

I_DSS

Drain-Source Leakage Current (T=70^oC)

I_GSS

Q_g

Gate-Source Leakage

Total Gate Charge²

Gate-Source Charge

Gate-Drain ("Miller") Charge

Turn-on Delay Time²

Rise Time

±100

I_D=3.6A

4.4

0.6

1.9

5.2

5.7

145

100

Q_gs

Q_gd

t_d(on)

t_r

V_DS=10V

V_GS=4.5V

V_DS=10V

I_D=3.6A

t_d(off)

t_f

Turn-off Delay Time

Fall Time

R_G=6Ω,V_GS=5V

R_D=2.8Ω

C_iss

C_oss

C_rss

Input Capacitance

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

V_GS=0V

V_DS=10V

f=1.0MHz

Source-Drain Diode

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min. Typ. Max. Units

I_S

Continuous Source Current ( Body Diode )

Pulsed Source Current ( Body Diode )¹

Forward On Voltage²

V_D=V_G=0V , V_S=1.2V

I_SM

V_SD

1.2

I_S=1.6A, V_GS=0V

Notes:

1.Pulse width limited by Max. junction temperature.

2.Pulse width <300us , duty cycle <2%.

3.Surface mounted on 1 in²copper pad of FR4 board ; 270℃/W when mounted on min. copper pad.

123 4

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