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AP2302M

更新时间： 2024-01-19 21:21:06

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BCDSEMI		稳压器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
13页	154K
描述
3A DDR TERMINATION REGULATOR

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AP2302M 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.65	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏源导通电阻：	0.064 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP2302M 数据手册

Preliminary Datasheet

3A DDR TERMINATION REGULATOR

AP2302

Typical Performance Characteristics (Continued)

-20

-1

-3

-1

-3

-5

Time (µs)

Figure 9. 1.25V_TTat 3A Transient Response

(Conditions: V_IN=2.5V, V_CNTL=3.3V, C_OUT=10µF)

Figure 8. 0.9V_TTat 3A Transient Response

(Conditions: V_IN=2.5V, V_CNTL=3.3V, C_OUT=10µF)

0.30

V_IN=0.9V

V_IN=0.85V

V_IN=0.8V

V_IN=0.9V

V_IN=0.85V

V_IN=0.8V

0.28

0.26

0.24

0.22

0.20

0.18

0.16

0.28

0.26

0.24

0.22

0.20

0.18

0.16

V_CNTL=5.0V

V_REFEN=1.0V

V_CNTL=3.3V

V_REFEN=1.0V

100

125

100

125

Junction Temperature (^oC)

Figure 10. R_DS(on)vs. Junction Temperature

Figure 11. R_DS(on)vs. Junction Temperature

Jul. 2006 Rev. 1. 2

BCD Semiconductor Manufacturing Limited

1...4 5 678 9 10...13

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