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AP2302M

更新时间： 2024-01-28 03:04:16

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BCDSEMI		稳压器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
13页	154K
描述
3A DDR TERMINATION REGULATOR

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AP2302M 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.65	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏源导通电阻：	0.064 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP2302M 数据手册

Preliminary Datasheet

3A DDR TERMINATION REGULATOR

AP2302

Absolute Maximum Ratings (Note 1)

Value

Parameter

Symbol

V_CNTL

P_D

Unit

Supply Voltage for Internal Circuit

Power Dissipation

Internally Limited

ESD (Human Body Model)

Junction Temperature

ESD

T_J

^oC

150

T_STG

Storage Temperature Range

-65 to 150

260

T_LEAD

Lead Temperature (Soldering, 10sec)

SOIC-8

160

130

^oC/W

θ_JA

Package Thermal Resistance (Free Air)

TO-252-5L

TO-263-5L

Note 1: Stresses greater than those listed under "Absolute Maximum Ratings" may cause permanent damage to the device.

These are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated

under "Recommended Operating Conditions" is not implied. Exposure to "Absolute Maximum Ratings" for extended periods

may affect device reliability.

Recommended Operating Conditions

Parameter

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

V_CNTL(Note 2, 3)ꢀ

Supply Voltage for Internal Circuit

3.3

DDR I

2.5

1.8

V_IN

T_J

V_CNTL

Power Input

1.6

DDR II

^oC

Junction Temperature

125

Note 2: Keep V_CNTL≥V_INin power on and power off sequences.

Note 3: For safe operation, V_CNTLMUST be tied to 3.3V rather than 5V.

Jul. 2006 Rev. 1. 2

BCD Semiconductor Manufacturing Limited

1 2 345 6 7...13

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