AP2302N

更新时间： 2024-02-20 23:22:32

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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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AP2302N 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.65	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏源导通电阻：	0.064 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP2302N 数据手册

AP2302N

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Capable of 2.5V gate drive

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

20V

85mΩ

3.2A

▼ Small package outline

▼ Surface mount package

SOT-23

Description

The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

low on-resistance and cost-effectiveness.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current³, V_GS@ 4.5V

Pulsed Drain Current^1,2

±12

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

3.2

2.6

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

1.38

Linear Derating Factor

0.01

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rthj-a

Thermal Resistance Junction-ambient³

Max.

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

200503044

12 3 4

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