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AP2302D

更新时间： 2024-02-24 11:30:25

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BCDSEMI		稳压器双倍数据速率
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13页	154K
描述
3A DDR TERMINATION REGULATOR

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AP2302D 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.65	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏源导通电阻：	0.064 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP2302D 数据手册

Preliminary Datasheet

3A DDR TERMINATION REGULATOR

AP2302

Electrical Characteristics

(T_J=25^oC, V_IN=2.5V, V_CNTL=3.3V, V_REFEN=1.25V, C_OUT=10µF (Ceramic), unless otherwise specified.)

Parameter

Symbol

Conditions

I_L=0A (Note 4)

Min

Typ

Max Unit

Output Offset Voltage

V_OS

-20

I_L=0 to 1.5A

0.8

1.2

DDR I

I_L=0 to -1.5A

I_L=0 to 1.5A

Load

Regulation

∆V_OUT

V_OUT

DDR II

I_L=0 to -1.5A

No Load

Quiescent Current of V_CNTL

Leakage Current in Shutdown Mode

Protection

I_Q

I_SHDN

V_REFEN<0.2V, R_L=180Ω

µA

Current Limit

I_LIMIT

^oC

Thermal Shutdown Temperature

Thermal Shutdown Hysteresis

Shutdown Function

T_SHDN

3.3V≤V_CNTL≤5V

150

Output=High

Output=Low

0.8

Shutdown Threshold Trigger

0.2

Note 4: V_OSis the voltage measurement defined as V_OUTsubtracted from V_REFEN

Jul. 2006 Rev. 1. 2

BCD Semiconductor Manufacturing Limited

1 2 3 456 7 8...13

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