AP2302GN

更新时间： 2024-11-17 04:06:23

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP2302GN 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.65
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	3.2 A	最大漏源导通电阻：	0.085 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP2302GN 数据手册

AP2308GEN

Pb Free Plating Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Capable of 2.5V gate drive

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

20V

600mΩ

1.2A

▼ Lower on-resistance

▼ 2KV ESD Capability

SOT-23

Description

Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to

achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and

cost-effectiveness device.

The SOT-23 package is universally used for all commercial-industrial

applications.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current³, V_GS@ 4.5V

Pulsed Drain Current^1,2

±6

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

1.2

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

1.38

Linear Derating Factor

0.01

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

℃

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rthj-a

Thermal Resistance Junction-ambient³

Max.

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

200809041

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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AP2302GN-HF	A-POWER	获取价格	Capable of 2.5V gate drive, Small package outline
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