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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | DIP, |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.77 |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T40 | 长度： | 52.451 mm |
| I/O 线路数量： | 24 | 端口数量： | 3 |
| 端子数量： | 40 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大供电电压： | 5.25 V | 最小供电电压： | 4.75 V |
| 标称供电电压： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | MOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 15.24 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型： | PARALLEL IO PORT, GENERAL PURPOSE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AM8257 | AMD | Programmable DMA Controller |
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| AM82729-060 | MICROSEMI | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN, M214, 2 PIN |
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| AM82731 | ASI | NPN RF POWER TRANSISTOR |
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| AM82731-001 | ASI | NPN RF POWER TRANSISTOR |
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| AM82731-003 | ASI | NPN RF POWER TRANSISTOR |
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| AM82731-003 | STMICROELECTRONICS | RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS |
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