AM82731-006

更新时间： 2024-01-24 19:00:45

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体射频双极晶体管开关微波雷达局域网
页数	文件大小	规格书
4页	70K
描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AM82731-006 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	BASE
最大集电极电流 (IC)：	1.8 A	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	最小功率增益 (Gp)：	5.6 dB
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AM82731-006 数据手册

AM82731-006

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

S-BAND RADAR APPLICATIONS

REFRACTORY/GOLD METALLIZATION

EMITTER SITE BALLASTED

5:1 VSWR CAPABILITY

LOW THERMAL RESISTANCE

INPUT/OUTPUT IMPEDANCE MATCHING

OVERLAY GEOMETRY

METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE

P_{OUT =}5.5 W. MIN. WITH 5.6 dB GAIN

.400 x .400 2NLFL (S042)

hermeticaly sealed

BANDWIDTH

400 MHz

ORDER CODE

AM 82731-006

BRANDING

82731-6

PIN CONNECTION

DESCRIPTION

The AM82731-006 device is a medium power silicon

bipolar NPN transistor specifically designed for S-

Band radar pulsed driver applications.

This device is capable of operation over a wide range

of pulse widths, duty cycles, and temperatures and

can withstand a 5:1 output VSWR. Low RF thermal

resistance, refractory/gold metallization, and auto-

matic wire bonding techniques ensure high reliability

and product consistency.

The AM82731-006 is supplied in the hermetic met-

al/ceramic package with internal input/output imped-

ance matching circuitry, and is intended for military

and other high reliability applications.

1. Collector

2. Base

3. Emitter

4. Base

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C)

case

Symbol

Parameter

Value

Unit

P_DISS

Power Dissipation*

Device Current*

(T_C100°C)

≤

V_CC

T_J

1.8

Collector-Supply Voltage*

Junction Temperature (Pulsed RF Operation)

Storage Temperature

250

T_STG

− 65 to +200

THERMAL DATA

C/W

R_TH(j-c)

Junction-Case Thermal Resistance

3.75

*Applies only to rated RF amplifier operation

August 1992

1/4

12 3 4

下载PDF

与AM82731-006相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AM82731-012	STMICROELECTRONICS	RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS	获取价格
AM82731-012	ASI	NPN RF POWER TRANSISTOR	获取价格
AM82731-025	STMICROELECTRONICS	RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS	获取价格
AM82731-050	STMICROELECTRONICS	RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS	获取价格
AM82731-050	ASI	NPN RF POWER TRANSISTOR	获取价格
AM8279-5CC	ETC	Keyboard Controller	获取价格