AM82731-006

更新时间： 2024-01-14 23:54:19

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体射频双极晶体管开关微波雷达局域网
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描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS

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AM82731-006 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	BASE
最大集电极电流 (IC)：	1.8 A	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	最小功率增益 (Gp)：	5.6 dB
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AM82731-006 数据手册

AM82731-006

= 25 C)

ELECTRICAL SPECIFICATIONS (T

case

STATIC

Value

Symbol

BV_CBO

BV_EBO

BV_CER

I_CES

Test Conditions

I_E= 0mA

Unit

Min.

Typ. Max.

I_C= 5mA

—

I_E= 1mA

I_C= 5mA

V_CE= 30V

V_CE= 5V

I_C= 0mA

3.5

—

R_BE= 10Ω

—

h_FE

I_C= 500mA

—

DYNAMIC

Value

Symbol

Test Conditions

P_{IN =}1.5W

Unit

Min. Typ. Max.

P_OUT

f = 2.7 — 3.1GHz

V_{CC =}30V

5.5

6.0

—

η_C

P_{IN =}1.5W

G_PB

P_{IN =}1.5W

5.6

6.0

Note:

Pulse Width

100µS

10%

Duty Cycle

TYPICAL PERFORMANCE

TYPICAL BROADBAND

PERFORMANCE

2/4

123 4

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